G12P10K
Numéro de produit du fabricant:

G12P10K

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G12P10K-DG

Description:

P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Description détaillée:
P-Channel 100 V 12A 57W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventaire:

1157 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12986509
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SOUMETTRE

G12P10K Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A
rds activé (max) @ id, vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1720 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max.)
57W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
3141-G12P10KTR
3141-G12P10KCT
3141-G12P10KDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMP2070U-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

diodes

DMP2110UFDBQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

vishay-siliconix

SI3460DDV-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET