Numéro de produit du fabricant:
G100N03D5
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G100N03D5-DG
Description:
N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventaire:
4895 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12987514
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SOUMETTRE
G100N03D5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5595 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (4.9x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
3141-G100N03D5TR
4822-G100N03D5TR
3141-G100N03D5CT
3141-G100N03D5DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
MSC040SMA120S/TR
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
IAUA250N04S6N005AUMA1
OPTIMOS POWER MOSFET
G08N06S
N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
