G1002L
Numéro de produit du fabricant:

G1002L

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G1002L-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Description détaillée:
N-Channel 2A (Tc) 1.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3L

Inventaire:

60000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000649
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SOUMETTRE

G1002L Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
250mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3L
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
4822-G1002LTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMN3060LWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

diodes

DMN2451UFB4Q-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMT10H032LSS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R

diodes

DMTH10H015SK3-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R