Numéro de produit du fabricant:
G06N10
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G06N10-DG
Description:
N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
4752 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000461
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SOUMETTRE
G06N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
190 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
3141-G06N10DKR
3141-G06N10CT
3141-G06N10TR
4822-G06N10TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM5ND50CI
500V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G75P04K
P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
GT650N15K
N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.