Numéro de produit du fabricant:
G050P03T
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G050P03T-DG
Description:
P-30V,-85A,RD(MAX)<5M@-10V,VTH-1
Description détaillée:
P-Channel 30 V 85A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
69 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996793
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SOUMETTRE
G050P03T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
85A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6922 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
4822-G050P03T
3141-G050P03T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
MCG55P02A-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
HP4936DY
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
IRFR420T
2.5A, 500V, 3OHM, N-CHANNEL MOSF
