Numéro de produit du fabricant:
G01N20LE
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G01N20LE-DG
Description:
MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Description détaillée:
N-Channel 1.7A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventaire:
51000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12972460
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SOUMETTRE
G01N20LE Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
700mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
4822-G01N20LETR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
C3M0045065J1
650V 45 M SIC MOSFET
NTMFS4983NBFT1G
MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN
PJQ5474A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
