Numéro de produit du fabricant:
18N20
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
18N20-DG
Description:
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Description détaillée:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 65.8W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
2007 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001220
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SOUMETTRE
18N20 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
836 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
65.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
4822-18N20TR
3141-18N20CT
3141-18N20DKR
3141-18N20TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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