Numéro de produit du fabricant:
G3R60MT07D
Product Overview
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G3R60MT07D-DG
Description:
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Description détaillée:
750 V Through Hole TO-247-3
Inventaire:
2888 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12958893
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SOUMETTRE
G3R60MT07D Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Emballage
Tube
Série
G3R™
État du produit
Active
FET Type
-
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
750 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
+20V, -10V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
1242-G3R60MT07D
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SQJ126EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
MCU60N08-TP
MOSFET N-CH
2N7002K
MOSFET SOT-23 N Channel 60V
