Numéro de produit du fabricant:
G2R50MT33K
Product Overview
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G2R50MT33K-DG
Description:
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaire:
131 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965214
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SOUMETTRE
G2R50MT33K Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Emballage
Tube
Série
G2R™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
3300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
63A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 10mA (Typ)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7301 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
536W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
1242-G2R50MT33K
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJQ2422_R1_00001
DFN2020B-6L, MOSFET
PJA3416_R1_00001
SOT-23, MOSFET
DMP4006SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506