Numéro de produit du fabricant:
GPI65008DF56
Product Overview
Fabricant:
GaNPower
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GPI65008DF56-DG
Description:
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Description détaillée:
N-Channel 650 V 8A Surface Mount Die
Inventaire:
100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974002
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SOUMETTRE
GPI65008DF56 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
GaNPower
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 3.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.1 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+7.5V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
63 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Die
Emballage / Caisse
Die
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
4025-GPI65008DF56TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJQ5413_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NVMFS025P04M8LT1G
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
FDM6296-G
FDM6296 - TBD_25CH
