Numéro de produit du fabricant:
GPI65005DF
Product Overview
Fabricant:
GaNPower
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GPI65005DF-DG
Description:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Description détaillée:
N-Channel 650 V 5A Surface Mount Die
Inventaire:
167 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12972698
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SOUMETTRE
GPI65005DF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
GaNPower
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 1.75mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+7.5V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
45 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Die
Emballage / Caisse
Die
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
4025-GPI65005DFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJF12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
FDP075N15A-F032
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
