SFI9Z14TU
Numéro de produit du fabricant:

SFI9Z14TU

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SFI9Z14TU-DG

Description:

P-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.8W (Ta), 38W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventaire:

3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12938313
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SOUMETTRE

SFI9Z14TU Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
500mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
350 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 38W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,664
Autres noms
2156-SFI9Z14TU
FAIFSCSFI9Z14TU

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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