Numéro de produit du fabricant:
ISL9N306AP3
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ISL9N306AP3-DG
Description:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 125W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
55600 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12954230
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SOUMETTRE
ISL9N306AP3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UltraFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3400 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
398
Autres noms
FAIFSCISL9N306AP3
2156-ISL9N306AP3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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