Numéro de produit du fabricant:
HUF75829D3
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUF75829D3-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK
Inventaire:
4067 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12900511
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SOUMETTRE
HUF75829D3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Tube
Série
UltraFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1080 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
567
Autres noms
2156-HUF75829D3-FS
FAIFSCHUF75829D3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM210N02CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
DMP21D5UFD-7
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