Numéro de produit du fabricant:
FQPF9N25CYDTU
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF9N25CYDTU-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventaire:
1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946429
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FQPF9N25CYDTU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
710 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
38W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3 (Y-Forming)
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
489
Autres noms
2156-FQPF9N25CYDTU
FAIFSCFQPF9N25CYDTU
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDPF18N20FT-G
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
IRL3705ZPBF
IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
IRFHS8242TRPBF
IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
