Numéro de produit du fabricant:
FQPF2N60C
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF2N60C-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
16763 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946563
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FQPF2N60C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
235 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
23W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
501
Autres noms
ONSONSFQPF2N60C
2156-FQPF2N60C
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF60DM206
IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
FDMS7670
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDPF51N25YDTU
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
