Numéro de produit du fabricant:
FQP3P20
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQP3P20-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Description détaillée:
P-Channel 200 V 2.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
3186 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946780
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SOUMETTRE
FQP3P20 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
422
Autres noms
FAIFSCFQP3P20
2156-FQP3P20
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
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