Numéro de produit du fabricant:
FQP3N80C
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQP3N80C-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Description détaillée:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
53553 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946802
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SOUMETTRE
FQP3N80C Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
705 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
107W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
401
Autres noms
2156-FQP3N80C
FAIFSCFQP3N80C
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
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