FQI47P06TU
Numéro de produit du fabricant:

FQI47P06TU

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQI47P06TU-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
Description détaillée:
P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventaire:

3730 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12817403
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FQI47P06TU Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Tube
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
26mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.75W (Ta), 160W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
197
Autres noms
FAIFSCFQI47P06TU
2156-FQI47P06TU-FS

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FQU7N20TU

MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK

fairchild-semiconductor

HUFA75309T3ST

MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4

renesas-electronics-america

RJK0603DPN-A0#T2

MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA

fairchild-semiconductor

FQI12N60CTU

MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK