Numéro de produit du fabricant:
FDU6N25
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDU6N25-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Description détaillée:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventaire:
17372 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946463
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SOUMETTRE
FDU6N25 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,211
Autres noms
2156-FDU6N25
FAIFSCFDU6N25
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMS0346
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FCPF7N60YDTU
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
IPI45N06S4L08AKSA2
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET