FDPF5N50FT
Numéro de produit du fabricant:

FDPF5N50FT

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDPF5N50FT-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Description détaillée:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

58950 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946886
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDPF5N50FT Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.55Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
28W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
331
Autres noms
2156-FDPF5N50FT
FAIFSCFDPF5N50FT

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FDA16N50LDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

international-rectifier

IRFH7914TRPBF

IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDPF12N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

IRFSL7734PBF

IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P