FDN363N
Numéro de produit du fabricant:

FDN363N

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDN363N-DG

Description:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 100 V 1A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SuperSOT™-3

Inventaire:

42602 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12933458
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SOUMETTRE

FDN363N Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,664
Autres noms
2156-FDN363N
FAIFSCFDN363N

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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