Numéro de produit du fabricant:
FDMS4435BZ
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMS4435BZ-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Description détaillée:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
1500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946810
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SOUMETTRE
FDMS4435BZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta), 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2050 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
532
Autres noms
ONSONSFDMS4435BZ
2156-FDMS4435BZ
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
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