FDI8442
Numéro de produit du fabricant:

FDI8442

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDI8442-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventaire:

6224 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13077303
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDI8442 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Tube
Série
PowerTrench®
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
254W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
197
Autres noms
2156-FDI8442-FS
FAIFSCFDI8442

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FDZ293P

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

fairchild-semiconductor

FDMS2506SDC

MOSFET N-CH 25V 39A/49A DLCOOL56

fairchild-semiconductor

FQD5N30TF

MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

fairchild-semiconductor

FDU6030BL

MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK