Numéro de produit du fabricant:
FDG314P
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDG314P-DG
Description:
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Description détaillée:
P-Channel 25 V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventaire:
335960 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12817800
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SOUMETTRE
FDG314P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
650mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
63 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-88 (SC-70-6)
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,664
Autres noms
2156-FDG314P-FSTR
FAIFSCFDG314P
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FQPF6N40CT
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
FQPF12P10
MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
SCH1337-TL-H
P-CHANNEL MOSFET
