Numéro de produit du fabricant:
FDG312P
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDG312P-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Description détaillée:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventaire:
91890 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946840
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SOUMETTRE
FDG312P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
330 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-88 (SC-70-6)
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,649
Autres noms
2156-FDG312P
FAIFSCFDG312P
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
