Numéro de produit du fabricant:
FDD6680AS
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD6680AS-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Description détaillée:
N-Channel 30 V 55A (Ta) 60W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
9341 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946515
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SOUMETTRE
FDD6680AS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®, SyncFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
55A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
528
Autres noms
2156-FDD6680AS
ONSONSFDD6680AS
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AUIRF1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
FDC8886
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF2907ZPBF
IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW
