Numéro de produit du fabricant:
FDB029N06
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDB029N06-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
5208 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946970
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SOUMETTRE
FDB029N06 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9815 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
231W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
73
Autres noms
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
AUIRF1010ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
FDS4470
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
