FDA16N50-F109
Numéro de produit du fabricant:

FDA16N50-F109

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDA16N50-F109-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventaire:

270 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946682
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SOUMETTRE

FDA16N50-F109 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1945 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
205W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PN
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
FDA16N50(_F109)

Informations supplémentaires

Forfait standard
184
Autres noms
2156-FDA16N50-F109
ONSFSCFDA16N50-F109

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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