Numéro de produit du fabricant:
FCP25N60N-F102
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP25N60N-F102-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12979262
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SOUMETTRE
FCP25N60N-F102 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
-
Série
SupreMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3352 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
216W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
99
Autres noms
2156-FCP25N60N-F102
ONSFSCFCP25N60N-F102
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP68D0LFB-7B
MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
NVMFS4C308NWFT1G
TRENCH 30V NCH
NTMFSC012N15MC
150V PTNG IN 5X6 DUALCOOL
