Numéro de produit du fabricant:
FCI11N60
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCI11N60-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventaire:
64279 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12823215
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FCI11N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Tube
Série
SuperFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1490 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
249
Autres noms
FAIFSCFCI11N60
2156-FCI11N60-FS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF6617TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
IRFS3004TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IRF6715MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
