FCH043N60
Numéro de produit du fabricant:

FCH043N60

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FCH043N60-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée:
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventaire:

391 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978171
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FCH043N60 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SuperFET® II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
43mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12225 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
592W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
27
Autres noms
2156-FCH043N60
ONSFSCFCH043N60

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SIHA17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 7A TO220

taiwan-semiconductor

TQM110NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU

fairchild-semiconductor

FDS6630A

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

microchip-technology

MSC400SMA330B4

MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24