Numéro de produit du fabricant:
EPC2014
Product Overview
Fabricant:
EPC
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EPC2014-DG
Description:
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Description détaillée:
N-Channel 40 V 10A (Ta) Surface Mount Die
Inventaire:
12814928
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SOUMETTRE
EPC2014 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
EPC
Emballage
-
Série
eGaN®
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
+6V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
325 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Die
Emballage / Caisse
Die
Numéro de produit de base
EPC20
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
Q9023669
917-1018-6
917-1018-2
917-1018-1
-917-1018-1
-917-1018-2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
EPC2014C
FABRICANT
EPC
QUANTITÉ DISPONIBLE
60288
NUMÉRO DE PIÈCE
EPC2014C-DG
PRIX UNITAIRE
0.56
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
CSD16570Q5B
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
IRFH7921TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN
IRF6617TR1
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
