Numéro de produit du fabricant:
FBG04N08AC
Product Overview
Fabricant:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FBG04N08AC-DG
Description:
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Description détaillée:
N-Channel 40 V 8A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventaire:
196 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997536
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SOUMETTRE
FBG04N08AC Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
EPC Space
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
+6V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
312 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-SMD
Emballage / Caisse
4-SMD, No Lead
Informations supplémentaires
Forfait standard
169
Autres noms
4107-FBG04N08AC
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
CMS3402-HF
MOSFET P-CH 30V SOT23
PMN15ENEX
MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
2N7002KWHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-323
