2N5551
Numéro de produit du fabricant:

2N5551

Product Overview

Fabricant:

Diotec Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N5551-DG

Description:

BJT TO-92 160V 600MA NPN 0.625W
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92

Inventaire:

76000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977983
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SOUMETTRE

2N5551 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Diotec Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
600 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
50nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Puissance - Max
625 mW
Fréquence - Transition
300MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
2N5551-DG
Fiches techniques
2N5551

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
2796-2N5551TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0000
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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