Numéro de produit du fabricant:
ZXMN7A11GQTA
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ZXMN7A11GQTA-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Description détaillée:
N-Channel 70 V 2.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
12978734
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SOUMETTRE
ZXMN7A11GQTA Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
70 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
298 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
31-ZXMN7A11GQTADKR
31-ZXMN7A11GQTATR
31-ZXMN7A11GQTACT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF9530PBF-BE3
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
DMN6069SFVW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMTH4002SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R
