Numéro de produit du fabricant:
ZXMN3A01E6TA
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ZXMN3A01E6TA-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 2.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventaire:
148497 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12887600
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
ZXMN3A01E6TA Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
190 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6
Numéro de produit de base
ZXMN3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
ZXMN3A01E6TR-DG
31-ZXMN3A01E6TACT
ZXMN3A01E6TR
ZXMN3A01E6DKR
31-ZXMN3A01E6TADKR
31-ZXMN3A01E6TATR
ZXMN3A01E6TR-NDR
ZXMN3A01E6CT-NDR
ZXMN3A01E6CT-DG
ZXMN3A01E6DKR-DG
ZXMN3A01E6CT
ZXMN3A01E6DKRINACTIVE
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN2230U-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
DMPH4013SK3-13
MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
