Numéro de produit du fabricant:
ZXMN10B08E6QTA
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ZXMN10B08E6QTA-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Description détaillée:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Inventaire:
12978860
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SOUMETTRE
ZXMN10B08E6QTA Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.3V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
230mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
497 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-26
Emballage / Caisse
SOT-23-6
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-ZXMN10B08E6QTATR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
ZXMN10B08E6TA
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
5553
NUMÉRO DE PIÈCE
ZXMN10B08E6TA-DG
PRIX UNITAIRE
0.23
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMT12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
