Numéro de produit du fabricant:
ZXMN10A25GTA
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ZXMN10A25GTA-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Description détaillée:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Inventaire:
17350 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12886962
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SOUMETTRE
ZXMN10A25GTA Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
859 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223-3
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
ZXMN10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
ZXMN10A25GTATR
ZXMN10A25GCT-DG
ZXMN10A25GTACTINACTIVE
ZXMN10A25GTR-DG
ZXMN10A25GTADKRINACTIVE
ZXMN10A25GTATRINACTIVE
ZXMN10A25GTR
ZXMN10A25GTACT
ZXMN10A25GCT
ZXMN10A25G
ZXMN10A25GDKR
ZXMN10A25GTADKR
ZXMN10A25GDKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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