Numéro de produit du fabricant:
ZTX857QSTZ
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ZTX857QSTZ-DG
Description:
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventaire:
12979199
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SOUMETTRE
ZTX857QSTZ Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Box (TB)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
300 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 600mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
50nA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 500mA, 10V
Puissance - Max
1.2 W
Fréquence - Transition
80MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
E-Line-3, Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
E-Line (TO-92 compatible)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
31-ZTX857QSTZTB
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
BC847BWQ-13-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32
FMMT491AQTC
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R
FMMT625QTA
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
