ZTX651QSTZ
Numéro de produit du fabricant:

ZTX651QSTZ

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

ZTX651QSTZ-DG

Description:

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 2 A 175MHz 1.5 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventaire:

12979125
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SOUMETTRE

ZTX651QSTZ Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Box (TB)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 500mA, 2V
Puissance - Max
1.5 W
Fréquence - Transition
175MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
E-Line-3, Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
E-Line (TO-92 compatible)

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
31-ZTX651QSTZTB

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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