NMSD200B01-7
Numéro de produit du fabricant:

NMSD200B01-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NMSD200B01-7-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
Description détaillée:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-363

Inventaire:

12899346
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

NMSD200B01-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
200mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-363
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
1034-NMSD200B01DITR
1034-NMSD200B01DIDKR
NMSD200B01DICT
NMSD200B01DKR-DG
NMSD200B01TR
NMSD200B01DIDKR
NMSD200B01DITR
NMSD200B01DKR
1034-NMSD200B01DICT
NMSD200B01CT
NMSD200B01CT-DG
NMSD200B017
NMSD200B01TR-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
taiwan-semiconductor

TSM8N50CP ROG

MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252

diodes

DMTH6004SK3-13

MOSFET N-CH 60V 100A TO252

taiwan-semiconductor

TSM480P06CZ C0G

MOSFET P-CH 60V 20A TO220

diodes

DMN10H170SFGQ-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333