HBDM60V600X-7
Numéro de produit du fabricant:

HBDM60V600X-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HBDM60V600X-7-DG

Description:

FUNCTIONAL ARRAY SOT363 T&R 3K
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 60V, 80V 600mA, 500mA 200mW Surface Mount SOT-363

Inventaire:

12978681
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SOUMETTRE

HBDM60V600X-7 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
600mA, 500mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
60V, 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA, 50nA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Puissance - Max
200mW
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-363
Numéro de produit de base
HBDM60V600

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-HBDM60V600X-7DKR
31-HBDM60V600X-7TR
31-HBDM60V600X-7CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
microchip-technology

2N5794AU/TR

DUAL SMALL-SIGNAL BJT

diodes

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