Numéro de produit du fabricant:
DRDNB26W-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DRDNB26W-7-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
Inventaire:
12888772
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Quantité
Minimum 1
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99To
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SOUMETTRE
DRDNB26W-7 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased + Diode
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
600 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
220 Ohms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
4.7 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
47 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
200 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-363
Numéro de produit de base
DRDNB26
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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