Numéro de produit du fabricant:
DMWSH120H28SM4Q
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMWSH120H28SM4Q-DG
Description:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaire:
59 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000680
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SOUMETTRE
DMWSH120H28SM4Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
28.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 17.7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
156.3 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+19V, -8V
Dissipation de puissance (max.)
429W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
31-DMWSH120H28SM4Q
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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