DMTH69M8LFVW-7
Numéro de produit du fabricant:

DMTH69M8LFVW-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMTH69M8LFVW-7-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
Description détaillée:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventaire:

13270157
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SOUMETTRE

DMTH69M8LFVW-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1925 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMTH69

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMTH69M8LFVW-7TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH69M8LFVW-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH69M8LFVW-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.22
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
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