Numéro de produit du fabricant:
DMTH10H4M6SPSW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH10H4M6SPSW-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Description détaillée:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 115A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventaire:
13242567
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SOUMETTRE
DMTH10H4M6SPSW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Ta), 115A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4327 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMTH10H4M6SPSW-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H4M6SPSWQ-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H4M6SPSWQ-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.88
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH6004SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMPH4009SSS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
DMP31D1UQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
