DMTH10H032LFVW-7
Numéro de produit du fabricant:

DMTH10H032LFVW-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMTH10H032LFVW-7-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Description détaillée:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventaire:

13002565
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SOUMETTRE

DMTH10H032LFVW-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
683 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.7W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMTH10

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMTH10H032LFVW-7

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H032LFVWQ-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H032LFVWQ-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.24
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H032LFVW-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H032LFVW-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.19
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H032LFVWQ-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
1991
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H032LFVWQ-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.20
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMN2009UFDF-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO