Numéro de produit du fabricant:
DMTH10H009LFGQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH10H009LFGQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Description détaillée:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventaire:
13242672
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SOUMETTRE
DMTH10H009LFGQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta), 46A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2361 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMTH10H009LFGQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H009LFGQ-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H009LFGQ-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.48
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMNH6042SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMP32D9UFA-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
ZXMP10A18KQTC
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
