Numéro de produit du fabricant:
DMT67M8LCG-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT67M8LCG-7-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
Description détaillée:
N-Channel 60 V 16A (Ta), 64.6A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventaire:
13270099
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SOUMETTRE
DMT67M8LCG-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta), 64.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2130 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
V-DFN3333-8 (Type B)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMT67
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMT67M8LCG-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT67M8LCG-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT67M8LCG-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.34
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT6017LFDF-7
MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
DMT12H065LFDF-13
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